Toshiba Mengembangkan MRAM yang Lebih Hemat Energi untuk Smartphone


Toshiba Mengembangkan MRAM yang Lebih Hemat Energi untuk Smartphone

Seperti pembangunan di pasar bergerak ke arah smartphone lebih ringan dan lebih hemat energi hardware, Toshiba hari ini mengumumkan bahwa mereka telah menciptakan jenis baru dari memori MRAM yang bisa mengurangi konsumsi daya CPU di ponsel sebanyak dua pertiga. Ini merupakan penurunan drastis dalam penggunaan energi, dimana sebagian besar industri telah berjuang dengan beban yang semakin berat pada teknologi SRAM yang digunakan di sebagian besar perangkat mobile saat ini.

Baru-baru ini, jumlah SRAM yang digunakan dalam prosesor aplikasi mobile telah meningkat, dan ini telah meningkatkan penggunaan daya. MRAM difokuskan pada pemotongan konsumsi daya, juga meningkatkan kecepatan.

Pengembangan teknologi MRAM menggunakan teknik spin-torque technology, sebuah metode di mana elektron yang berputar dengan cara yang memungkinkan mereka untuk mengatur orientasi bit magnetnya. Unsur-unsur dalam MRAM lebih kecil dari 30nm. Sistem RAM saat ini menggunakan muatan listrik untuk menyimpan memori, sedangkan sistem baru Toshiba menggunakan penyimpan magnetik. Metode ini memungkinkan unit untuk menyimpan data bahkan tanpa daya. Perkembangan teknologi ini berada di fase awal yang dirancang untuk akhirnya menggantikan flash dan teknologi DRAM. Tidak ada kerangka waktu untuk rilis pasar pada produk ini, tetapi informasi lebih lanjut harus tersedia dimana perusahaan bersiap untuk memasarkan teknologi baru untuk produsen perangkat mobile.

Toshiba bukanlah satu-satunya perusahaan yang menggunakan spin-torque technology, Everspin bulan lalu telah mengembangkan chip MRAM pertama untuk menggantikan chip DRAM. Everspin adalah perusahaan pertama yang membuat ST (spin-torque) system tersedia di pasar, dan perusahaan memandang chip baru ini sebagai memori buffer solid-state drive dan secepat-akses memori. Teknologi ini sangat efektif digunakan di pusat-pusat data dan sistem lain di bawah beban data yang besar.

Rilis berikutnya mengenai informasi teknologi MRAM dari Toshiba akan datang pada Pertemuan IEEE International Electron Devices, yang akan diadakan di San Francisco akhir pekan ini. Organisasi IEEE (Institute of Electrical and Electronic Engineers) mempromosikan penelitian tentang proyek-proyek teknik elektro, termasuk pengembangan dalam industri semi-konduktor.


Via : AH

Post a Comment